• 溫度沖擊試驗箱應用于IGBT芯片行業的必要性

    2022-07-28 16:26:21

           許多人在聽到環境試驗箱這個詞,可能會覺得離自己很遙遠,其實不管是天上飛的飛機、火箭、衛星,還是地上跑的火車、汽車、高鐵,海里的游輪和潛艇。都是需要比如溫度沖擊試驗箱來進行測試,尤其是近幾年非?;馃岬男履茉雌囆袠I,作為其中的核心部件 IGBT 芯片,更是必須經過無數次的可靠性試驗的測試,才能保證產品安全高效的投放到市場上使用,今天勤卓小編就來為您介紹一下用溫度沖擊試驗箱給 IGBT 做測試的必要性。

          研發人員在初期為了提高此類微電子元器件的性能(特別是可靠性),通常會將芯片封裝在真空或者是保護氣體中,與外界氧氣、濕氣、灰塵等隔絕。


          通常的工業級 IGBT 用溫度沖擊試驗箱可靠性試驗主要包含但不限于下列項目:

    1.TST (溫度沖擊)試驗: TST 試驗主要驗證 IGBT 在被動溫度變化的情況下對機械應力的抵抗能力。 TST 試驗考核焦點是 IGBT 模塊的封裝、基板與 DCB 間的連接。

             本次試驗的原理是:利用物體中所含物質的在不同溫度情況下因熱脹冷縮所產生的應力考驗產品的質量,此實驗本身是一個破壞性實驗. 溫度范圍 -45度---+105度 每隔半小時一個循環。

     TC (溫度循環)試驗: TC 試驗用于模擬外界溫度變化對 IGBT 的影響,驗證器件或模塊的整體結構和材料。尤其是 IGBT 功率模塊由不同的材料組成一個系統,當受熱和冷卻時,不同材料的熱朦脹系數差異大,兩種界面在受熱或冷卻過程中所受的機械應力就越大。 TC 試驗的焦點是 IGBT 芯片與 DCB 、 DCB 與基板之間的連接。


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